檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "圖案化".ckeyword (精準) and cdept.raw="機械工程系"
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氮化鎵被認為是繼矽之後最重要半導體材料，目前主要是以磊晶的方式成長於藍寶石或碳化矽基板，並已廣泛應用於高功率藍白光LED的量產。將氮化鎵磊晶於矽基板上將是未來的新趨勢，近期並將應用於高電子移動速度電…
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隨著半導體元件金屬導線製程不斷微細化追求更高解析度的技術。化學機械拋光平坦化(Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)不斷面臨許多挑戰。CM…
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隨著積體電路(Integrated Circuit, IC)迅速發展演進，晶圓上金屬導線之線寬隨科技發展越來越小，在微型化發展過程中，為達金屬導線線寬微小化之目的，則需進行高解析度之微影製程，晶圓表…
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本研究透過交錯式電極最佳化設計，以優化電致動力輔助化學機械平坦化製程(Electro-Kinetic Force Chemical Mechanical Planarization, EKF-CMP…
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本研究旨透過整合電腦積層拋光墊形貌模型(Computed Additive Pad Topography, CAPT)建立軟式複合墊3D模型，並藉由3D模型模擬拋光墊Asperity特徵參數，參數包…